Projekt

Integrierte Schaltungen - Dreidimensionale integrierte Schaltungen - Teil 3: Referenzmodell und Messbedingungen für Silizium-Via (IEC 47A/997/CD:2016)

Kurzreferat

Diese Internationale Norm legt ein Referenzmodell der erforderlichen elektrischen Eigenschaften von Silizium-Via (en: Through-Silicon-Via; TSV) für die Gestaltung einer Schnittstelle zur Übertragung und den Empfang digitaler Daten in dreidimensional integrierten Schaltkreisen (3D-IC), sowie die Messbedingungen für Widerstands- und Kapazitätsmessungen zur Festlegung der elektrischen Eigenschaften von TSV in 3D-IC fest.

Beginn

2017-01-24

Geplante Dokumentnummer

DIN EN 63011-3

Projektnummer

02227383

Zuständiges nationales Arbeitsgremium

DKE/K 631 - Halbleiterbauelemente  

Ihr Kontakt

Elena Rongen

Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

Tel.: +49 69 6308-429

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