Norm-Entwurf [NEU]

24/30499092 DC
BS EN IEC 63601 Guideline for Evaluating Bias Temperature Instability of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices for Power Electronic Conversion (Fast track)

Titel (englisch)

BS EN IEC 63601 Guideline for Evaluating Bias Temperature Instability of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices for Power Electronic Conversion (Fast track)

Ausgabe 2024-10-04
Frist zur Stellungnahme bis 2024-11-27
Originalsprache Englisch
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