DIN EN IEC 60749-5
; VDE 0884-749-5:2024-09
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 5: Lebensdauerprüfung bei konstanter Temperatur und Feuchte unter elektrischer Beanspruchung (IEC 60749-5:2023); Deutsche Fassung EN IEC 60749-5:2024
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 5: Steady-state temperature humidity bias life test (IEC 60749-5:2023); German version EN IEC 60749-5:2024
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 60749 stellt für die Beurteilung der Zuverlässigkeit nicht hermetisch verkappter Halbleiterbauelemente ein Lebensdauer-Prüfverfahren sowohl bei konstanter Wärme als auch Feuchte und elektrischer Beanspruchung bereit. Es sind keine Einschränkungen im Anwendungsbereich bekannt. Bedingungen für Temperatur, Feuchte und elektrische Beanspruchung werden angewandt, um das Eindringen von Feuchtigkeit durch das äußere Schutzmaterial (Vergussmasse oder Dichtung) oder entlang der Grenzfläche zwischen dem äußeren schützenden Werkstoff und den metallischen Leitern, die durch ihn hindurchgeführt sind, zu beschleunigen.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 60749-5:2018-01 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) die Spezifikation der Prüfgeräte wird geändert um die Notwendigkeit, den Gradient der relativen Luftfeuchte zu minimieren und den Luftstrom zwischen den zu prüfenden Halbleiterbauelementen zu maximieren; b) die Spezifikation der Prüfgerätehalterungen wird geändert, um Kondenswasserbildung an den zu prüfenden Geräten und elektrischen Einrichtungen, die die Bauelemente mit den Prüfgeräten verbinden, zu vermeiden; c) Ersetzung des Begriffs „virtuelle Sperrschicht“ durch „Chip“.
