DIN EN IEC 60749-5
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 5: Lebensdauerprüfung bei konstanter Temperatur und Feuchte unter elektrischer Beanspruchung (IEC 47/2770/CDV:2022); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 60749-5:2022
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 5: Steady-state temperature humidity bias life test (IEC 47/2770/CDV:2022); German and English version prEN IEC 60749-5:2022
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 60749 stellt für die Beurteilung der Zuverlässigkeit nicht hermetisch verkappter Halbleiterbauelemente ein Lebensdauer-Prüfverfahren sowohl bei konstanter Wärme als auch Feuchte und elektrischer Beanspruchung bereit. Es sind keine Einschränkungen im Anwendungsbereich bekannt. Gegenüber DIN EN 60749-5:2018-01 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) die Notwendigkeit, den Gradient der relativen Luftfeuchte zu minimieren und den Luftstrom zwischen den Geräten zu maximieren; b) die Vermeidung von Kondenswasserbildung an Geräten und elektrischen Einrichtungen; c) Ersetzung des Begriffs "virtuelle Sperrschicht" durch "Chip". Bedingungen für Temperatur, Feuchte und elektrische Beanspruchung werden angewandt, um das Eindringen von Feuchtigkeit durch das äußere Schutzmaterial (Vergussmasse oder Dichtung) oder entlang der Grenzfläche zwischen dem äußeren schützenden Werkstoff und den metallischen Leitern, die durch ihn hindurchgeführt sind, zu beschleunigen.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 60749-5:2018-01 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) die Notwendigkeit, den Gradient der relativen Luftfeuchte zu minimieren und den Luftstrom zwischen den Geräten zu maximieren; b) die Vermeidung von Kondenswasserbildung an Geräten und elektrischen Einrichtungen; c) Ersetzung des Begriffs "virtuelle Sperrschicht" durch "Chip".