DIN 50453-2
Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen - Teil 2: Siliciumdioxid-Schichten, Optisches Verfahren
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 2: Silicon-dioxide coating, optical method
Einführungsbeitrag
Dieses Dokument legt ein Verfahren fest, welches zur schnellen Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen an Siliciumdioxidschichten dient. Dieses Dokument ist für Ätzmischungen anwendbar, die bei Siliciumdioxid eine weitgehend gleichmäßige Flächenabtragung erzielen. Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA "Prüfung von Prozessmaterialien für die Halbleitertechnologie" im DIN-Normenausschuss Materialprüfung (NMP) erarbeitet.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN 50453-2:1990-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) redaktionelle Bearbeitung von Abschnitt 1 "Anwendungsbereich"; b) Abschnitt 5 "Einheiten" gestrichen; c) Überarbeitung von Abschnitt 5 "Geräte" (vorm. Abschnitt 6) überarbeitet; d) konkrete Anforderung zur Dicke des Siliciums-Substrats in Abschnitt 6 (vorm. Abschnitt 7) entfernt; e) Ergänzung des Titels von Abschnitt 7 (vorm. Abschnitt 8) auf "Zusammensetzung der Ätzmischungen"; f) Aufnahme des neuen Abschnitts 9 "Probenvorbereitung"; g) Aktualisierung von Abschnitt 10 (vorm. Abschnitt 11) "Durchführung"; h) Überarbeitung des Prüfberichts in Abschnitt 13 (vorm. Abschnitt 14); i) redaktionelle Überarbeitung.
Zuständiges nationales Arbeitsgremium
NA 062-02-21 AA - Prüfung von Prozessmaterialien für die Halbleitertechnologie
