Einführungsbeitrag

Diese Dokument gilt für die Herstellung von Einkristall-Wafern aus synthetischen Quarzkristallen, Lithiumniobat(LN)-, Lithiumtantalat(LT)-, Lithiumtetraborat(LBO)-Kristallen und Lanthanum-Gallium-Silikat (LGS), die für die Verwendung als Substrate bei der Herstellung von Oberflächenwellen-(OFW-)Filtern und Resonatoren vorgesehen sind. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 62276:2017-08 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Die Begriffe, die technischen Anforderungen, die Häufigkeit der Probenahme, die Prüfverfahren und die Messung von Transmissionsgrad, Helligkeit und Farbunterschied für LN und LT wurden hinzugefügt, um den Anforderungen der industriellen Entwicklung gerecht zu werden; b) Die in den Abschnitten 5.4 und 6.9 genannten Begriffe für Einschlüsse wurden hinzugefügt, da sie in Abschnitt 3 nicht definiert sind; c) Die Spezifikation von LTV und PLTV sowie die entsprechende Beschreibung der Abtastfrequenz für LN und LT werden hinzugefügt, da sie die wichtigsten Leistungsparameter für die Wafer sind; d) Die Toleranz der Curie-Temperatur-Spezifikation für LN und LT wurde hinzugefügt, um den Entwicklungsanforderungen der Industrie gerecht zu werden; e) Die Messungen von Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV wurden fertiggestellt, einschließlich des Messprinzips und der Messmethode für Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV.

Zuständiges nationales Arbeitsgremium

DKE/K 642 - Piezoelektrische Bauteile zur Frequenzstabilisierung und -selektion