Technische Regel [AKTUELL]

EIA JEP 195
Guideline for Evaluating Gate Switching Instability of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices for Power Electronic Conversion

Titel (englisch)

Guideline for Evaluating Gate Switching Instability of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Devices for Power Electronic Conversion

Ausgabe 2023-02
Originalsprache Englisch
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