Einführungsbeitrag

In diesem Dokument werden Verfahren festgelegt, die bei der Umrechnung von gemessenen I-U-Kennlinien (Strom-Spannungs-Kennlinien) (auch bezeichnet als I-U-Kurven) von photovoltaischen (PV-)Bauelementen auf andere Temperaturen und Bestrahlungsstärken einzuhalten sind. Ebenso werden die Verfahren festgelegt, die zur Bestimmung der Korrekturfaktoren anzuwenden sind. Die PV-Elemente umfassen Einzelzellen mit oder ohne Schutzabdeckung, eine Solarzellenteilbaugruppe oder ein Modul. Für jeden Bauelementetyp gilt eine andere Gruppe der bestimmenden Parameter für die Korrektur der I-U-Kurve. Die Temperaturkoeffizienten für ein Modul (oder eine Teilbaugruppe von Zellen) dürfen aus den Messungen an einer Einzelzelle berechnet werden, das gilt aber nicht für den Reiheninnenwiderstand und den Kennlinienkorrekturfaktor, die für ein Modul oder eine Zellenteilbaugruppe getrennt bestimmt werden sollten. Die Anforderungen für die I-U-Messung von PV-Elementen sind in IEC 60904-1 und ihren betreffenden Teilen dargelegt. Alternative Verfahren für die Bestimmung des Reihenwiderstandes können Anhang A entnommen werden. Diese I-U-Korrekturparameter gelten für das photovoltaische Bauelement, für das sie gemessen worden sind. Innerhalb eines Fertigungsloses oder einer Typenklasse können möglicherweise Abweichungen auftreten. Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich dieses Dokumentes. Gegenüber DIN EN 60891 (VDE 0126-6):2010-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Hinzufügen eines Leitfadens dafür, welches Korrekturverfahren in Abhängigkeit von der Anwendung angewendet werden muss; b) Einführung eines Umrechnungsverfahrens 4, das für die kristalline Silizium(c-Si)-Technologie mit unbekannten Temperaturkoeffizienten gilt; c) Einführung verschiedener Erläuterungen für bestehende Verfahren zur Verbesserung der Messgenauigkeit und zur Verringerung der Messunsicherheit; d) Hinzufügen eines informativen Anhangs mit zusätzlichen Verfahren zur Bestimmung des Reihenwiderstandes.

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 60891 (VDE 0126-6):2010-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Hinzufügen eines Leitfadens dafür, welches Korrekturverfahren in Abhängigkeit von der Anwendung angewendet werden muss; b) Einführung eines Umrechnungsverfahrens 4, das für die kristalline Silizium(c-Si)-Technologie mit unbekannten Temperaturkoeffizienten gilt; c) Einführung verschiedener Erläuterungen für bestehende Verfahren zur Verbesserung der Messgenauigkeit und zur Verringerung der Messunsicherheit; d) Hinzufügen eines informativen Anhangs mit zusätzlichen Verfahren zur Bestimmung des Reihenwiderstandes.

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Zuständiges nationales Arbeitsgremium

DKE/K 373 - Photovoltaische Solarenergie-Systeme