DIN EN 60747-16-3
Halbleiterbauelemente - Teil 16-3: Integrierte Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017); Deutsche Fassung EN 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017
Semiconductor devices - Part 16-3: Microwave integrated circuits - Frequency converters (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017); German version EN 60747-16-3:2002 + A1:2009 + A2:2017
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 60747 liefert sowohl neue Messverfahren, die Terminologie und Buchstabensymbole als auch wesentliche Bemessungswerte und Eigenschaften für integrierte Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen. Im dritten Abschnitt werden die maßgeblichen Begriffe eingeführt, im Abschnitt 4 die Abkürzungen. Der fünfte Abschnitt enthält die wesentlichen Bemessungswerte und Kennwerte. Er gibt Bemessungswerte und Kennwerte an, die für die Festlegung von integrierten Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen erforderlich sind. Es muss eine Bauartkennzeichnung (Bauelementename), Schaltungskategorie und Technologie angegeben werden. Frequenzumsetzer für Mikrowellen werden in zwei Kategorien unterteilt, in die Bauart A, das sind Umsetzer zu niedrigeren Frequenzen und die Bauart B, das sind Umsetzer zu höheren Frequenzen. Es muss eine allgemeine Beschreibung der Funktion, die von der integrierten Schaltung zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen ausgeführt wird, und der allgemeinen Merkmale für die Anwendung angegeben werden. Die Fertigungstechnologie, wie zum Beispiel monolytisch integrierte Halbleiterschaltung, integrierte Dünnfilmschaltung, zusammengesetzte Mikroschaltung, muss angegeben werden. Diese Angaben müssen auch Einzelheiten der Halbleitertechnologie wie Schottky-Diode, MESFET, bipolarer Siliziumtransistor, HBT enthalten. Im sechsten Abschnitt werden die Messverfahren für elektrische Eigenschaften von integrierten Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen beschrieben. Es gelten die allgemeinen Vorsichtsmaßnahmen nach IEC 60747-1, 6.3, 6.4 und 6.6. Zusätzlich sollte besonders darauf geachtet werden, Gleichspannungsquellen mit niedriger Restwelligkeit zu verwenden und alle Vorspannungen bei der Messfrequenz ausreichend zu entkoppeln. Es sollte auch sorgfältig die Belastungsimpedanz des Prüfstromkreises beachtet werden, um die Ausgangsleistung zu messen. Wenn nicht anders festgelegt, muss der Pegel des Eingangssignals (Hochfrequenz für Umsetzer zu niedrigeren Frequenzen und Zwischenfrequenz für Umsetzer zu höheren Frequenzen) Kleinsignalbedingungen entsprechen, bei denen die Bauteile lineare Eigenschaften gegenüber dem Eingangssignal aufweisen. Zuständig ist das DKE/UK 631.1 "Einzel-Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 60747-16-3:2009-11 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Abschnitt 2 "Normative Verweisungen", Abschnitt 3 "Begriffe", 5.6 "Elektrische Kennwerte" und 6.12 "Kreuzmodulationsverzerrung" mit den dazugehörigen Unterabschnitten wurden komplett überarbeitet und teilweise ergänzt.