DIN EN 60749-6
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur (IEC 60749-6:2017); Deutsche Fassung EN 60749-6:2017
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 6: Storage at high temperature (IEC 60749-6:2017); German version EN 60749-6:2017
Einführungsbeitrag
Die Eignung von Halbleiterbauelementen für unterschiedliche Anwendungen ist abhängig auch von den klimatischen und mechanischen Umgebungseinflüssen, denen diese Bauelemente ausgesetzt werden. Die Normenreihe DIN EN 60749 enthält eine Vielzahl von unterschiedlichen Prüfverfahren hierzu. In diesem Teil der Normenreihe DIN EN 60749 wird ein Prüfverfahren beschrieben, mit dem die Wirkung erhöhter Temperatur auf alle elektronischen Halbleiterbauelemente bei ihrer Lagerung ohne elektrische Beanspruchung ermittelt wird. Dieses Prüfverfahren wird üblicherweise verwendet, um die Wirkungen von Zeit und Temperatur bei Lagerungsbedingungen auf thermisch aktivierte Ausfallmethoden und die Dauer bis zum Ausfall von elektronischen Halbleiterbauelementen, einschließlich nicht flüchtiger Speicher-Bauelemente (Ausfallmechanismen bezüglich des Datenerhalts) zu bestimmen. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 60749-6:2003-04 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) zusätzliche Prüfbedingungen für Speicher-Bauelemente, um deren Datenerhalt zu prüfen; b) Klarstellung der Anwendbarkeit und Detaillierung von Prüfbedingungen; c) Anpassung an die aktuellen Gestaltungsregeln und redaktionelle Korrekturen in der deutschen Übersetzung.
