DIN IEC/TS 62804-1
; VDE V 0126-37-1:2017-05
Photovoltaik(PV)-Module - Prüfverfahren für die Erkennung von spannungsinduzierter Degradation - Teil 1: Kristallines Silicium (IEC/TS 62804-1:2015)
Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 1: Crystalline silicon (IEC/TS 62804-1:2015)
Verfahren
Vornorm
Einführungsbeitrag
In diesem Teil von IEC 62804 werden Verfahren für die Prüfung und die Bewertung der Dauerhaftigkeit von photovoltaischen (PV-)Modulen mit kristallinem Silizium gegen die Auswirkungen von kurzzeitigen Hochspannungsbeanspruchungen einschließlich der spannungsinduzierten Degradation (PID) festgelegt. Die zwei festgelegten Prüfverfahren werden als Sortierprüfungen angegeben - keine der Prüfungen enthält alle Faktoren, die in der natürlichen Umgebung vorkommen und welche die PID-Rate beeinflussen können. Die Verfahren beschreiben, wie ein konstantes Beanspruchungsniveau erreicht wird. Die Prüfung in dieser Technischen Spezifikation ist für PV-Module mit kristallinem Silizium mit einer oder zwei Glasoberfläche(n) ausgelegt, sie ist nicht für die Bewertung von Modulen mit Dünnschicht-Technologien, Tandem- oder Heterostruktur-Zellen vorgesehen. Die tatsächliche Dauerbeständigkeit der Module gegen Beanspruchungen mit der Systemspannung wird von den Umgebungsbedingungen abhängen, unter denen sie betrieben werden. Die Prüfungen sind dafür vorgesehen, die Empfindlichkeit der PV-Module gegen PID ungeachtet der wirklichen Beanspruchungen zu bewerten, unter denen sie in verschiedenen Klimaten und Systemen im Betrieb sind. Zuständig ist das DKE/K 373 "Photovoltaische Solarenergie-Systeme" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.
