DIN EN 60749-34
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung (IEC 60749-34:2010); Deutsche Fassung EN 60749-34:2010
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34: Power cycling (IEC 60749-34:2010); German version EN 60749-34:2010
Einführungsbeitrag
In diesem Teil der DIN EN 60749 ist ein Prüfverfahren festgelegt, das zur Ermittlung der Widerstandsfähigkeit eines Halbleiterbauelementes gegen thermische und mechanische Beanspruchungen der im Gehäuse montierten Halbleiterchips wie auch der innen liegenden Elemente der Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) bei Lastwechselzyklen verwendet wird. Diese Lastwechselbeanspruchungen treten auf, wenn kleine Betriebsspannungen in Durchbruchrichtung (unter Laststrom) periodisch ein- und ausgeschaltet werden, sodass schnelle Temperaturänderungen verursacht werden. Der Zweck des Lastwechselprüfverfahrens ist es, einerseits typische Anwendungen in der Leistungselektronik zu simulieren und andererseits das Prüfverfahren mit hoher Temperaturbeanspruchung (IEC 60749-23) zu ergänzen. Die Lastwechselbeanspruchungen verursachen andere Ausfallmechanismen als bei den Temperaturwechselbeanspruchungen nach dem Zweikammer-Verfahren oder dem schnellen Temperaturwechsel nach dem Zweibad-Verfahren. Die Lastwechselbeanspruchungen verursachen Alterungen und deshalb wird dieses Prüfverfahren als zerstörend betrachtet. Diese Norm ersetzt DIN EN 60749-34:2004. Die wesentlichen Änderungen gegenüber der Vorgängernorm sind: - Festlegung von schärferen Prüfbedingungen für eine beschleunigte Lastwechselbeanspruchung bei Drahtbondkontakten; - Hinweis ergänzt, dass bei harten Lastwechselbeanspruchungen hohe Stromdichten bei einer dünnen Chipmetallisierung Effekte der Elektromigration in der Nähe von Drahtbondstellen verursachen können. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 60749-34:2004-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Festlegung von schärferen Prüfbedingungen für eine beschleunigte Lastwechselbeanspruchung bei Drahtbondkontakten; b) Hinweis ergänzt, dass bei harten Lastwechselbeanspruchungen hohe Stromdichten bei einer dünnen Chipmetallisierung Effekte der Elektromigration in der Nähe von Drahtbondstellen verursachen können; c) editorielle Überarbeitung der deutschen Sprachfassung.
