DIN EN 60749-19
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); Deutsche Fassung EN 60749-19:2003 + A1:2010
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); German version EN 60749-19:2003 + A1:2010
Einführungsbeitrag
Dieser Teil der DIN EN 60749 dient der Bewertung der Integrität der Werkstoffe sowie der Prozess-Schritte, die angewendet werden, um Halbleiter-Chips auf Gehäusesockel (Header) oder andere Substrate (Trägerstreifen) zu befestigen. Im Allgemeinen ist dieses Prüfverfahren nur bei Hohlraum-Bauelementen und als Prozess-Monitor anwendbar. Es ist nicht anwendbar bei Chipflächen >10 mm2. Ebenso ist es nicht anwendbar bei der Flip-Chip-Technologie oder flexiblen Substraten. Gegenüber DIN EN 60749-19:2003-10 wurde im Abschnitt 1 entsprechend EN 60749-19/A1:2010-09 eine zweite Anmerkung eingefügt, welche die unterschiedliche Anwendung bei hohlraumlosen Gehäusen und Gehäusen mit Hohlraum klarstellt. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
Änderungsvermerk
Gegenüber DIN EN 60749-19:2003-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) im Anwendungsbereich wurde entsprechend EN 60749-19/A1:2010-09 eine zweite Anmerkung (Abschnitt 1, Anmerkung 2) eingefügt, welche die unterschiedliche Anwendung bei hohlraumlosen Gehäusen und Gehäusen mit Hohlraum klarstellt; b) Verweis in Abschnitt 7, Punkt a) der Deutschen Fassung der EN korrigiert.
