Norm
[AKTUELL]
DIN EN 62416
DIN EN 62416
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
Titel (englisch)
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010); German version EN 62416:2010
Einführungsbeitrag
In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln, inwiefern die Einzeltransistoren eines bestimmten ©MOS-Prozesses der geforderten Hot-Carrier-Lebensdauer entsprechen. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
