DIN EN 62417
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010); Deutsche Fassung EN 62417:2010
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010); German version EN 62417:2010
Einführungsbeitrag
In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Waferniveau zu bestimmen. Das Prüfverfahren ist sowohl auf aktive als auch auf parasitäre Feld-Effekt-Transistoren anwendbar. Die mobile Ladung kann Degradationen des mikroelektronischen Bauelementes verursachen, wie eine Schwellspannungsdrift des MOSFET oder eine Basisinversion in Bipolartransistoren. Die Prüfbeanspruchung auf die Teststrukturen wird bei erhöhter Temperatur ausgeübt, sodass sowohl mobile Ionen die Energiebarriere an den Grenzflächen überwinden können als auch die Ionenbeweglichkeit im Oxid ausreichend hoch ist. In diesem Dokument sind zwei Prüfverfahren festgelegt: - Spannungs-Temperatur-Beanspruchung (BTS; en: bias temperature stress), die mit Transistoren durchgeführt wird; - Spannungs-Durchlauf (VS; en: voltage sweep), die mit Kapazitätsstrukturen durchgeführt wird. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
