DIN EN 60191-6-19
Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-19: Messverfahren für die Gehäuse-Verbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung (IEC 60191-6-19:2010); Deutsche Fassung EN 60191-6-19:2010
Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-19: Measurement methods of the package warpage at elevated temperature and the maximum permissible warpage (IEC 60191-6-19:2010); German version EN 60191-6-19:2010
Einführungsbeitrag
Gehäuse für Halbleiterbauelemente sind im Rahmen der technischen Entwicklungen zunehmend flacher und feiner geworden. Im Rahmen der Fertigung elektronischer Baugruppen kann es bei der Wärmeeinwirkung im Lötprozess bei solchen Gehäusen zu Verbiegungen kommen, die dann die elektrischen Kontakte und somit die Funktionsfähigkeit elektronischer Baugruppen negativ beeinflussen. Dieser Teil von DIN EN 60191 legt die Messverfahren für die Gehäuseverbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässigen Verbiegungen für Halbleitergehäuse mit Ball-Grid-Array (BGA), Feinraster-Ball-Grid-Array (FBGA) und Feinraster-Land-Grid-Array (FLGA) fest. Zuständig ist das UK 631.4 "Gehäuse für Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
