Norm
[AKTUELL]
NF C96-017
; NF EN 62374:2008-01-01
NF C96-017
; NF EN 62374:2008-01-01
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
Titel (englisch)
Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films