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DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE

Einführungsbeitrag

Strukturen im Mikrometerbereich erfordern ein besonders exaktes Vorgehen und spezielle Verfahren bei der Bestimmung ihrer Geometrie. Bei fehlerhaftem Vorgehen und Missachtung der Messbedingungen ergeben sich Ergebnisse, die keine oder falsche Aussagen zur Folge haben, dies tritt umso deutlicher auf, je feiner die zu bestimmenden Strukturen sind. Daher legt dieser Teil der Normenreihe DIN EN 62047 die Beschreibung von Rillen- und Nadelstrukturen im Mikrometerbereich fest. Zudem werden Beispiele zur Messung der geometrischen Merkmale für beide Strukturen zur Verfügung gestellt. Bei Rillenstrukturen ist die Norm für Strukturen mit einer Tiefe von 1 µm bis 100 µm, für Rillen und Stege mit Breiten von jeweils 5 µm bis 150 µm und einem Aspektverhältnis von 0,006 7 bis 20 anwendbar. Bei Nadelstrukturen ist die Norm für Strukturen mit drei oder vier Seitenflächen mit einer Höhe, horizontalen und vertikalen Breiten von größer oder gleich 2 µm und Abmessungen, die in einen Würfel mit 100 µm Kantenlänge passen, anwendbar. Die Norm ist sowohl für den strukturell-konstruktiven Entwurf von MEMS-Bauteilen als auch für die Beurteilung der geometrischen Merkmale nach MEMS-Fertigungsprozessen anwendbar. Im informativen Anhang A sind Beispiele zum Messen von Geometrien der Rillen- und Nadelstrukturen im Mikrometerbereich beschrieben. Es sind die Messprinzipien, Präparation für die Proben und die Messdurchführung in Bezug auf die Geometrie der Strukturen zusammenfassend beschrieben, indem ein oder auch mehrere charakteristische Beispiele für die Geometriemessung von Rillen- und Nadelstrukturen verwendet werden. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

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Zuständiges nationales Arbeitsgremium

DKE/K 631 - Halbleiterbauelemente