DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
IEC 60747-8
Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
Einführungsbeitrag
Im Dezember 2010 erschien die dritte Ausgabe der in Englisch und Französisch vorliegenden Norm innerhalb der insgesamt 16 Normen beziehungsweise Normenreihen umfassenden Reihe IEC 60747 über "Halbleiterbauelemente". Nach Annahme des Schlussentwurfs (FDIS) am 12. November 2010 wurde sie entsprechend den Regularien der IEC als Internationale Norm veröffentlicht.
Die WG 3 des IEC/SC 47E hat die bisherige zweite Ausgabe der Norm IEC 60747-8 überarbeitet. Die wesentlichen Änderungen stellen sich wie folgt dar:
- Die Klassifizierung der Feldeffekt-Transistoren in Kategorien wurde vom Abschnitt 3 in den Abschnitt 1 (Anwendungsbereich) übertragen; der bisherige Abschnitt 3 entfällt damit.
- Der Abschnitt 4 wurde aufgeteilt in einen neuen Abschnitt 3 (Terms and Definitions) und Abschnitt 4 (Letter symbols).
- In den Abschnitten 5 bis 7 wurden Ergänzungen und Berichtigungen, vor allem in einigen Abbildungen, vorgenommen.
Die Norm behandelt drei Kategorien von Feldeffekttransistoren: Junction-Feldeffekt-Transistoren (JFET), Feldeffekt-Transistoren mit isolierendem Gate vom Verarmungstyp (depletion-mode IGFET, normally on) sowie solche vom Anreicherungstyp (enhancement-mode IGFET, normally off). Nach den einleitenden detaillierten Abschnitten 2 bis 5 zu den Definitionen, Grenzwerten und Parametern befasst sich der 42 Abbildungen enthaltende, umfangreiche Abschnitt 6 mit den Messmethoden zur Bestimmung der Grenzwerte und der Eigenschaften von Feldeffekt-Transistoren, wobei im Einzelnen die folgenden Themen behandelt werden:
- Spannungs- und Strom-Grenzwerte
- Sicherer Arbeitsbereich (SOA)
- Avalanche-Energie
- Messmethoden auf insgesamt 23 Seiten zur Bestimmung von Durchbruchspannung, Gate-Source-Spannungen, Leckströmen, Einschaltwiderständen, Schaltzeiten, Verlustleistung, Gateladung, Kapazitäten, Leitwerten, thermischen Widerständen.
Der daran anschließende Abschnitt 7 enthält Angaben zur Bestimmung von Annahmekriterien und zu Zuverlässigkeitsprüfungen wie Sperr- und Gatespannungs-Dauerbelastbarkeit (HTRB und HTGB), Lastwechselfestigkeit (load cycles) sowie zu Typprüfungen auf Stichprobenbasis und zu Routineprüfungen in der laufenden Produktion.
Zum Verständnis der Norm IEC 60747-8 ist die einleitende Norm IEC 60747-1:2006 "Halbleiterbauelemente - Teil 1: Allgemein" erforderlich.
Eine deutsche Übersetzung der Norm ist nicht vorgesehen.
Für diese Norm ist das nationale Arbeitsgremium UK 631.1 "Einzel-Halbleiterbauelemente" der DKE zuständig.
