NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN 60027-2 [ZURÜCKGEZOGEN] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60747-5-1 AMD 2 | 2002-03 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-1: Optoelektronische Bauelemente; Allgemeines; Änderung 2 Mehr |
| IEC 60747-5-1 Edition 1.2 | 2002-05 | Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-1: Optoelectronic devices; General Mehr |
| IEC 60747-5-2 | 1997-09 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente - Wesentliche Grenz- und Kennwerte Mehr |
| IEC 60747-5-2 AMD 1 | 2002-03 | Einzel-Halbeleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente; Wesentliche Grenz- und Kennwerte; Änderung 1 Mehr |
| IEC 60747-5-3 | 1997-08 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente - Meßverfahren Mehr |
| IEC 60747-5-3 AMD 1 | 2002-03 | Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-3: Optoelektronische Bauelemente; Messverfahren; Änderung 1 Mehr |
| IEC 60747-6-3 ; QC 750113:1993-11 | 1993-11 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für rückwärtssperrende Thyristortrioden, umgebungs- und gehäusebezogen, für Ströme über 100 A Mehr |
| IEC 60747-8-2 ; QC 750106:1993-02 | 1993-02 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 8: Feldeffekt-Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekt-Transistoren für gehäusebezogene Leistungs-Verstärkeranwendung Mehr |
| IEC 60747-8-3 ; QC 750114:1995-04 | 1995-04 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren - Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Feldeffekttransistoren für Schaltanwendungen Mehr |
| IEC 60747-8-4 | 2004-09 | Einzelhalbleiterbauelemente - Teil 8-4: Metalloxidschicht-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschalteranwendungen Mehr |
