NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 61760-2 [AKTUELL] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60749-11 Corrigendum 2 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel; Zweibäderverfahren Mehr |
| IEC 60749-12 | 2017-12 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Schwingen, variable Frequenz Mehr |
| IEC 60749-13 | 2018-02 | Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre Mehr |
| IEC 60749-14 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse) Mehr |
| IEC 60749-15 | 2020-07 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage Mehr |
| IEC 60749-16 | 2003-01 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND) Mehr |
| IEC 60749-17 | 2019-03 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung Mehr |
| IEC 60749-18 | 2019-04 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) Mehr |
| IEC 60749-19 | 2003-02 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-19 AMD 1 | 2010-07 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
