NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN IEC 60749-26 ; VDE 0884-749-26 [AKTUELL] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60749-16 | 2003-01 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND) Mehr |
| IEC 60749-19 | 2003-02 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-19 AMD 1 | 2010-07 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-19 Edition 1.1 | 2010-11 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-2 | 2002-04 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck Mehr |
| IEC 60749-2 Corrigendum 1 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck Mehr |
| IEC 60749-21 | 2011-04 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit Mehr |
| IEC 60749-22 | 2002-09 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-22 Corrigendum 1 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-23 | 2004-02 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur Mehr |
