NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN 62747 [ZURÜCKGEZOGEN] zitiert folgende Dokumente:
Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
---|---|---|
IEC 60747-7 | 2010-12 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren Mehr |
IEC 60747-8 | 2010-12 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren Mehr |
IEC 60747-8-2 ; QC 750106:1993-02 | 1993-02 | Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 8: Feldeffekt-Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekt-Transistoren für gehäusebezogene Leistungs-Verstärkeranwendung Mehr |
IEC 60747-8-3 ; QC 750114:1995-04 | 1995-04 | Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren - Hauptabschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Feldeffekttransistoren für Schaltanwendungen Mehr |
IEC 60747-8-4 | 2004-09 | Einzelhalbleiterbauelemente - Teil 8-4: Metalloxidschicht-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschalteranwendungen Mehr |
IEC 62501 | 2009-06 | Voltage sourced converter (VSC) valves for high-voltage direct current (HVDC) power transmission - Electrical testing Mehr |
IEC 62751-1 | 2014-08 | Bestimmung der Leistungsverluste in Spannungszwischenkreis-Stromrichtern (VSC) für Hochspannungsgleichstrom(HGÜ)-Systeme - Teil 1: Allgemeine Anforderungen Mehr |
IEC 62751-2 | 2014-08 | Bestimmung der Leistungsverluste in Spannungszwischenkreis-Stromrichtern (VSC) für Hochspannungsgleichstrom(HGÜ)-Systeme - Teil 2: Modulare Mehrstufen-Stromrichter Mehr |