NA 022
DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE
DIN EN 60749-21 [AKTUELL] zitiert folgende Dokumente:
| Dokumentnummer | Ausgabe | Titel |
|---|---|---|
| IEC 60749-11 | 2002-04 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel; Zweibäderverfahren Mehr |
| IEC 60749-11 Corrigendum 1 | 2003-01 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel; Zweibäderverfahren Mehr |
| IEC 60749-11 Corrigendum 2 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel; Zweibäderverfahren Mehr |
| IEC 60749-14 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse) Mehr |
| IEC 60749-16 | 2003-01 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND) Mehr |
| IEC 60749-19 | 2003-02 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-19 AMD 1 | 2010-07 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-19 Edition 1.1 | 2010-11 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit Mehr |
| IEC 60749-2 | 2002-04 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck Mehr |
| IEC 60749-2 Corrigendum 1 | 2003-08 | Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck Mehr |
